双通道内存技术完全解析、P4平台芯片组SiS655堪称最强!  我要评论 
           
更新时间:03年2月28日 作者:ITdoor.net/倚天硬件评测室  编辑:3
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SiS655主板介绍:

 

 

 

 

 

 

 

 

    这次我们拿到的是SiS655的工程样板,整个样板做得非常大气,采用的PCB明显比标准ATX主板大一圈,做工以及用料可以说是我们见过的桌面主流芯片组主板中最好的,其做工甚至超过了Intel原厂主板。在CPU供电部分甚至采用了高端的OS-CON电容。

OS-CON电容:

    在CPU插座旁边我们发现了OS-CON电容,OS-CON是种低等值系列(ESR)和长寿命的大容量电阻,由聚合物半导体或TCNQ制造而成。依据其较低的ESR和显著的频率品质,OS-CON通常用在电源供应开关上,可以消除杂波。OS-CON频率响应极为宽广:众所周知,金属皮膜电容虽然拥有优异的高频响应,但容量却很难超过1uF,否则售价极为高昂,而电解电容虽然容量可以做得非常大,但高频特性却令人不敢恭维,因此无法作为输出交连电容。即使用在滤波电容上,我们也多半要利用并联金属膜电容的方式来克服高频响应不佳的问题。而这就是OS-CON的最大优势,可以在完整的频率范围内,提供第一流的频率响应。

    传统电解电容、钽质电容与三洋OS-CON电容比较表
    备注:本表针对10uF/25V的耐压与容量进行测试,A代表优良、B代表普通、C代表恶劣。

    三洋的OS-CON电容可以拥有如此优异的特性?请参考下图:

 

    将三洋OS-CON固态电解电容电容解剖之后,我们可以发现,在接脚引线与电极绝缘方面,OS-CON与传统电解电容几乎差不多,真正的关键,则是在电解介质上。传统电解电容,使用液态的电解液,除了电解液本身寿命有限,特性也不稳定之外,同时还得担心电解液外泄的问题;而三洋SANYO OS-CON电容,则是用「有机半导体」(上图肉色的部分)来取代电解液,一如我们对于半导体的概念,此举除了提供稳定的电解介质之外,也因为这个有机半导体介质(Organic Semiconductor)在介电特性上的优异特性,使得OS-CON不光是寿命长、工作稳定,还拥有可与金属皮膜电容匹敌的高频特性。

 

    不仅在供电部分采用“加料”设计,甚至在PCI插槽之间的电容也没有一丝节俭,不像现在有些主板厂商为了控制成本,对PCI部分稳定电路进行省略。

    北桥芯片采用非主动方式进行散热,北桥芯片上覆盖着一个印有SiS655名称的墨绿色散热片。在测试过程中,散热片的温度并不高,运行非常稳定。

    北桥芯片采用2002年第40周的产品,版本号为AO,可见这块主板还不能够支持超线程技术,只有版本为BO的北桥芯片才能对其支持。

    由CPU插座附近的飞线可以看出来,这块主板还是一款需要近一步完善的样板。

    此外的一出飞线处,是因为在送测运输过程中导致PCB发生轻微断裂,幸好经过我们工程师的焊接,这块主板才得以正常运行。

    SiS693南桥芯片采用BO版本,2002年38周的产品,其运行温度并不高,所以并不需要特殊的散热方式。

    CPU供电部分采用了三项电源回路设计,保证处理器获得纯净稳定的电源供应。

    主板采用4条DIMM插槽,并且其排列方式同以往的主板有所不同,两条DIMM为一组,呈90度垂直状态摆放,这样的好处是可以使内存到北桥之间的距离相等,并且也方便布线。SiS655支持DDR400内存,并且向下兼容DDR333、DDR266。SiS655可以使用不同容量不同类型的内存,还可以在所有内存插槽中插满双面双bank内存工作,相比Intel845系列仅仅支持4BANK内存来说,SiS655对内存方面的设计可谓先进许多,它可以使用的单条内存容量最大为1GB,即支持最大内存容量为4GB。

    从下图可以看出两组内存分别受控于各自的ICS UJ250794时钟频率发生器。

    在主板PCB的低端还带有6声道扩展接口以及一个同轴输出接口。从这点可以看出来此块主板仅仅是样板而已,因为没有一家厂商可以进行这样的设计。而其旁边的4个LED则是起到Debug灯的作用。

     Winbond W83697HF I/O控制芯片以及Winbond W29C020C-90B BIOS芯片。在这张图上还可以看到电源指示灯以及Power、Reset按钮。

    通过64针TQFT封装的Agere FW803 IEEE1394控制芯片,可以对3个IEEE1394a设备进行支持。

    SiS655支持6个USB1.1/2.0设备,它具有4个USB控制器,其中3个支持USB1.1设备,一个支持USB2.0设备,并且保持对6个USB接口的控制。

南北桥连接方式:

    南北桥之间采用1GB/s的MuTIOL进行连接。MuTIOL是SiS特有的在SiS655北桥和SiS963南桥之间进行数据传输的标准,其是工作在533MHz频率的双向16bit数据传输总线。

 

nForce2-ST

nForce2-S

KT400

SiS655

南北桥总线

HyperTransport

HyperTransport

V-Link 8X

MuTIOL 1G

南北桥带宽

800MB/s

800MB/s

533MB/s

1024MB/s

 

    过去许多年来,北桥和南桥之间都透过PCI总线做数据传输。不过PCI的带宽已经无法满足现今的性能需求,所以各芯片组厂商都提供了自己研发的新技术,像是威盛的V-Link、硅统的MuLTIOL、Intel的Hub-Link以及AMD与nVIDIA的超传输(HyperTransport)等等。

    通过1GB/s的MuTIOL,SiS655芯片组所支持的3个IEEE1394a以及6个USB1.1/2.0设备,才能不受PCI总线传输率的制约,发挥出应有的性能水平。

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   · 第1页:前言
   · 第2页:前端总线与内存系统及双通道内存
   · 第3页:SiS655芯片组介绍
   · 第4页:SiS655芯片组支持双通道DDR内存的实现
   · 第5页:SiS655主板介绍
   · 第6页:BIOS介绍
   · 第7页:SIS655工程样板测试成绩
   · 第8页:测试补充说明及总结
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