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总结：
测试补充说明：
通过测试成绩我们可以发现，使用双通道DDR400与使用双通道DDR333的测试成绩大体相当，甚至有个别项目中使用双通道DDR333的成绩要比使用双通道DDR400更好，其实是因为SiS655样板在BIOS中对内存参数调节有些保守所至。
双通道DDR400的内存延迟时间为 2.5-3-2CL。
而双通道DDR333为2.0-2-2CL。
虽然双通道DDR400相比双通道DDR333的内存频率提高了，但因为内存延迟降低了，所以测试成绩反映频率提升就不那么明显了。
通过上面的测试，SiS655完全超越了使用双通道PC1066的850E芯片组，在某些测试项目中，使用单通道DDR400情况下的成绩反倒超过了使用双通道PC1066的系统，在加上SiS963超级南桥所具有的高磁盘性能，可见SiS芯片组的设计非常优秀。相比PC1066的高昂价格，使用SiS655芯片组的主板，我们就可以用廉价的DDR400来搭建高性能的系统了，SiS655的推出无疑给目前P4平台提供了最高性能的解决方案。
对于SiS，在技术上已经没有什么阻碍，其芯片组优异的性能如今已是有目共睹，但目前只有两个方面制约其发展。一、产能问题，SiS早在去年11月就已经发布了SiS655芯片组，但目前才有几家主板厂家的产品推向市场，可以说芯片组推广有些滞慢，其实质是在产能上未有较大突破。二、合作厂商问题，相比Intel芯片组的推广速度（芯片组发布后1、2个月，相应的主板就已经大量铺货到市场）而言，SiS应尽快提高自身在主板厂商中的影响力，这样芯片组推广力度才能加强，让主板厂商推出一些旗舰类的品牌主板，摆脱一直以来在消费者心里SiS只走中低端OEM路线的形象。
对于SiS提出的几点建议，也是不希望这样好的产品埋没于市场推广方面，最后我们只能说一句话，“希望SiS越走越好”。
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