TwinMOS DDR400内存测试  我要评论 
           
更新时间:03年1月4日 作者:ITdoor.net/斯伯丁  编辑:6
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    随着内存和主板技术的发展,内存可以轻易的运行在高于333MHz的频率下。最新的VIA P4X400,KT400,以及Sis 648 和NVDIA nForce2芯片组都支持DDR400内存。从内存市场的发展趋势来看,DDR会是今后内存主要发展方向。

    TwinMOS(勤茂)公司位于台北县的汐止市东方科技园,公司主要为台式机,手提电脑设计内存模块。从DDR内存上市之时,TwinMOS内存就在市场上崭露头角,我使用的第一款DDR内存就是TwinMOS制造的。和那些老牌的内存制造厂家(Kingmax,Corsair)相比,TwinMos有自己的优势。它的内存能够稳定的运行在不同的时钟频率下,而且售价比Kingmax和Corsair都要低。TwinMOS的DDR/CPU比可以设定在2×,2.5×和3×,所以它对于超频爱好者来说是一个很不错的选择。

    所以本文主要介绍TwinMOS DDR400 PC3200这一款内存。

技术规格

性能: TwinMOS PC3200 256 MB CL2.5

·能够向下兼容DDR400/333/266MHz主板
·数据传输峰值3200 MB/s
·性能超过PC2700和Rambus 800
·能和其他内存兼容,并且在满负荷下稳定工作

规格:
·DDR架构
·CAS 延时: 2.5纳秒
·突发长度: 2, 4, 8
·突发类型: 顺序,交错
·数据自动刷新
·支持串行存在侦测
·内存颗粒能够在同步或者异步模式下工作
·封装: TSOP/CSP
184 引脚
时钟频率: 133/166/200MHz
2.6 V(+/- 0.2V)电压

    模块:让我们仔细的观察一下TwinMOS内存模块。

    从外表来看,它实在是普通不过。它采用了最普通的PCB版和内存封装模式。所以TwinMOS依靠其简单的设计和普通的材料大大降低了成本。 

    TwinMOS的内存颗粒使用Winbond芯片。Winbond是速度比较快,稳定性非常好的内存芯片,而且超频的性能相当不错。图中BH-5表明,芯片的延时为5ns,规格是8×32MB

测试

·测试环境

    Albatron PX845PE Pro II 
    256 MB DDR400 TwinMOS 
    GeForce4 Ti 4600 
    SoundBlaster Audigy * 
    Pentium 4 2,4 GHz 533 MHz FSB 
    Windows XP Professional 
    DirectX 8.1

Pentium 4 2,4 GHz C2.5:3:3 C2:2:2
TwinMOS 266 2005 2036
TwinMOS 333 2449 2571
TwinMOS 354 2704 2729
TwinMOS 400 3045 n/a

    SANDRA 主要测试TwinMOS的内存带宽,左边的数据是使用内存的默认设定(2.5-3-3),右边是内存超频后的得分。可见TwinMOS DDR400的带宽能够超过3000MB/s。

    3D Mark 2001 SE TwinMOS在游戏中的性能也很不错。在测试中我们没有使用最新的40.xx雷管驱动。如果使用最新雷管驱动的话,测试结果还可以高出1000分。

Pentium 4 2,4 GHz 3D Mark 2001 SE
TwinMOS 266 10967
TwinMOS 333 11417

   频率提高66MH后,系统的性能有了近5%的提高。

 结论

    TwinMOS 内存测试结果令我非常满意。TwinMOS不但在333MHz频率下,超过了3000MB/s 的带宽,而且它的售价比Kingmax便宜20%-30%。唯一遗憾的是,在400MHz下,CAS不能够稳定的工作在2ns下,这和TwinMOS的PCB板卡和制造工艺都有些关系.如果TwinMOS DDR400能够工作在CAS 2下,那么它绝对是Kingmax等内存制造厂家最有力的竞争对手。

    总的来说TwinMOS内存速度快,稳定性好,性价比高,是低端用户不错的选择。

全文完


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