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CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过1∶1.14，已经相当接近1∶1的理想情况，绝对尺寸也仅有32平方毫米，约为普通的BGA的1/3，仅仅相当于TSOP内存芯片面积的1/6。这样在相同体积下，内存条可以装入更多的芯片，从而增大单条容量。也就是说，与BGA封装相比，同等空间下CSP封装可以将存储容量提高三倍。CSP封装内存不但体积小，同时也更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.2mm，大大提高了内存芯片在长时间运行后的可靠性，线路阻抗显著减小，芯片速度也随之得到大幅度的提高。
不少DRAM厂商都表示，虽然目前DDR266或DDR200很多还采用TSOP封装技术，但自DDR333开始,则需将封装方式改采为CSP封装才有机会。据了解，目前DRAM颗粒厂如采用0.175微米制程来制造DDR333颗粒，良品率上最多仅能达到20%(原因在于0.175微米制程是用来制造DDR266)，但如将制程提升至0.15微米甚至0.13微米，用来制造DDR333颗粒，其良率将可高达70%～80%。对于DRAM颗粒厂商而言，在制造一颗DDR266与DDR333时所耗费成本几乎是相差不大，因此使用CSP封装的高性能内存是大势所趋。
目前，内存生产商NORCENT自主开发的“Micro-CSP”技术走在了业界CSP封装技术的前列。在Micro-CSP的封装方式中，内存颗粒是通过一个个锡球焊接在PCB板上，由于焊点和PCB板的接触面积较大，所以内存芯片在运行中所产生的热量可以很容易地传导到PCB板上并散发出去；而传统的TSOP封装方式中，内存芯片是通过芯片引脚焊在PCB板上的，焊点和PCB板的接触面积较小，使得芯片向PCB板传热就相对困难。同时，CSP封装可以从背面散热，且热效率良好，CSP的热阻为35℃/W，而TSOP热阻40℃/W。测试结果显示，运用NORCENT Micro-CSP封装的内存，可使传导到PCB板上的热量能高达88.4%，而TSOP内存中传导到PCB板上的热量能为71.3%。另外由于NORCENT Micro-CSP芯片结构紧凑，电路冗余度低，因此它也省去了很多不必要的电功率消耗，致使芯片耗电量和工作温度相对降低；同时，NORCENT Micro-CSP内存芯片还省却了陶瓷“保温层”，使得它比普通BGA内存芯片工作温度低了平均3℃左右，比TSOP低了5℃。通过以上这几点努力，NORCENT Micro-CSP在提高内存速度的前提下还保证了温度的降低，从而在移动计算和长时间运行系统（如网络服务器）等领域有其独特的优势。
据透露，NORCENT将主要把该项技术运用到高端PC DDR内存及笔记本专用内存和服务器内存中。其中第一批采用Micro-CSP技术的第二代NORCENT DDR333内存条型号包括256MB及512MB。新型CSP内存产品体积更小、容量更大、抗噪和散热效果更佳，系统稳定性更强，成为DRAM产品中，最具革命性变化的内存封装工艺。 |
