就当前的个人电脑而言，可选择的内存类型还是较为有限的，如今的形势大概是这样的：FPM DRAM 已经基本消失，EDO DRAM也逐渐将市场让给了SDRAM，SLDRAM的命运是出师未捷身先死，对于已经露面的Rambus DRAM来说，它还深处高阁之中，不过在Intel以为首的一些厂家的推动下它很有可能成为下一代内存的代表，而一些新型内存DDR、VCM和DDRⅡ也是有可能在今后主宰一部分市场。而今之计，只有SDRAM才是一支独秀，才真正是目前个人电脑的座上客。在频率规范方面，不久前已联合了三星、现代、日立、西门子、Micron和NEC等数家在半导体和微电子领域的著名厂商的威盛公司已顶住了Intel的强大压力，已经正式推出了PC133 SDRAM规范。但是从目前的市场来看，一是PC133 SDRAM的产品还鲜能看到，另一方面就是PC133 SDRAM是不是一种过渡性产品呢，很多人还处在观望的态度上，好之者寥寥。而它的大多数购买者不过都是一些超频爱好者和硬件发烧友，他们为了能让总线的频率上到133甚至150才簇拥而上PC133的。再从另一侧面来看，威盛是赶在Intel之前推出PC133标准的，而对于Intel和AMD等CPU厂商来说，它们还没能拿出支持相应外频的CPU来，所以对于大多数普通用户来说，过早的去追求PC133 SDRAM也是没有必要的。所以现在基于PC100标准的SDRAM内存仍是我们选购的重点，在此它也是这篇文章中要介绍的重点内容。本文介绍一些与内存和内存选购有关的知识，然后针对不同品牌内存产品，对它们标记与型号的辨认和识别方面进行介绍，最后结合目前内存市场及其发展方面的情况就它的选购与注意事项进行论述，希望能对大家有所帮助。

一.关于内存

    I. 常见内存。目前市场上常见的内存有以下几种：FPM（FastPageMode）RAM也称“快页     模式内存”，是用于486及奔腾级的计算机使用的普通内存，为72线，5V电压，带宽为32bit，速度基本都在60ns以上，目前已渐被淘汰，市场上的产品甚少；EDO（ExtendedDataOut）RAM也称“扩展数据输出内存”与FPM RAM有基本相同的应用范围，有72线和168线之分，5V电压，带宽32bit，速度基本都在40ns以上，目前处在被淘汰的边缘，市场上的存货也普遍不多了。由于奔腾及其以上级别的数据总线宽度都是64bit的，所以在使用中EDO RAM与FPM RAM都必须双条用。因为EDO RAM取消了扩展数据输出内存与传输内存的两个存储周期之间的时间间隔，即缩短了等待输出地址的时间，所以在大量存取操作时，可以大大地缩短存取时间，效率提高了20—30%；SD（SynchronousDynamic）RAM也称“同步动态内存”，都是168线的带宽64bit，3.3 V电压，最新的产品速度可达6ns，是目前市场上的主体产品。它的工作原理是将RAM 与CPU以相同的时钟频率进行控制，使RAM和CPU的外频同步，彻底取消等待时间，所以它的数据传输速度比EDO RAM又至少快了13％。

    II. 评价SDRAM的标准。

1. 时钟周期。它代表SDRAM所能运行的最大频率。显然这个数字越小说明SDRAM芯片所能运行的频率就越高。对于一片普通的PC-100 SDRAM来说，它芯片上的标识-10代表了它的运行时钟周期为10ns，即可以在100MHZ的外频下正常工作。根据某厂家的产品表我们可以得出这种芯片存取数据的时间为为6ns。
2. 存取时间。对于EDO和FPM DRAM来说，它代表了读取数据所延迟的时间。目前大多数SDRAM芯片的存取时间为5、6、7、8或10ns。这可不同于系统时钟频率，它们二者之间是有着本质的区别的。比如一种LG 的PC-100 SDRAM，它芯片上的标识为-7J或-7K，这代表了它的存取时间为7ns。而许多人都把这个存取时间当作了它能跑的外频了，其实它的系统时钟频率依然是10ns，外频为100MHz。
3. CAS的延迟时间。这是纵向地址脉冲的反应时间,也是在一定频率下衡量支持不同规范的内存的重要标志之一。比如现在大多数的SDRAM（在外频为100MHz时）都能运行在CAS Latency = 2或3的模式下，也就是说这时它们读取数据的延迟时间可以是二个时钟周期也可以是三个时钟周期。（当然在延迟时间为二个时钟周期时，SDRAM会有更高的效能。）在SDRAM的制造过程中，可以将这个特性写入SDRAM的EEPROM （就是SPD）中，在开机时主板的BIOS就会检查此项内容，并以CL=2这一默认的模式运行。
4. 综合性能的评价。对于PC 100内存来说，就是要求当CL=3的时候，tCK （System clock cycle time）的数值要小于10ns、tAC（Access time from CLK）要小于6ns。至于为什么要强调是CL=3的时候呢，这是因为对于同一个内存条当成设置不同CL数值时，tCK的值是很可能不相同的，当然tAC的值也是不太可能相同的。关于总延迟时间的计算一般用这个公式：总延迟时间=系统时钟周期*CL（CAS Latency）模式数+存取时间，比如某PC100内存的存取时间为6ns，我们设定CL模式数为2（即CAS Latency=2），则总延迟时间=10ns*2+6ns=26ns。这就是评价内存性能高低的重要数值。

    III. 奇偶校验（Parity）、非奇偶校验（Non-Parity）、ECC和SPD。比特（bit）是内存中的最小单位，也称“位”、它只有两个状态分别以1和0表示。我们又将8个连续的比特叫做一个字节（byte）。非奇偶校验内存的每个字节只有8位，若它的某一位存储了错误的值，就会使其中存储的相应数据发生改变而导致应用程序发生错误。而奇偶校验内存在每一字节（8位）外又额外增加了一位作为错误检测之用。比如一个字节中存储了某一数值（1、0、0、1、1、1、1、0），把这每一位相加起来（1+0+0+1+1+1+1+0=5）。若其结果是奇数，校验位就定义为1，反之则为0。当CPU返回读取储存的数据时，它会再次相加前8位中存储的数据，计算结果是否与校验位相一致。当CPU发现二者不同时就会发生宕机，下面你要作的就是重新启动计算机了。虽然有些主板可以使用带奇偶校验位或不带奇偶校验位两种内存条，但注意两种不能混用！ECC （Error Checking and Correcting）内存，它也是在原来的数据位上外加位来实现的。如8位数据，则需1位用于Parity检验，5位用于ECC，这额外的5位是用来重建错误的数据的。当数据的位数增加一倍，Parity也增加一倍，而ECC只需增加一位，当数据为64位时所用的ECC和Parity位数相同（都为8）。这就是为什么内存制造商用一对或几对36位内存模块造就ECC。在那些Parity只能检测到错误的地方，ECC实际上是可以纠正绝大多数错误的。若工作正常时，你不会发觉你的数据出过错，只有经过内存的纠错后，计算机的操作指令才可以继续执行。当然在纠错时系统的性能有着明显降低。SPD(Serial Presence Detect串行存在探测)，它是1个8针的SOIC封装（3mm*4mm）256字节的EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM电可擦写可编程只读存储器）芯片。型号多为24LC01B，位置一般处在内存条正面的右侧，里面记录了诸如内存的速度、容量、电压与行、列地址带宽等参数信息。当开机时PC的BIOS将自动读取SPD中记录的信息，如果没有SPD，就容易出现死机或致命错误的现象。它是识别PC100内存的一个重要标志，也是一个必要条件（即有之则不一定是，无之则肯定不是）。现在个别厂商一方面为了降低生产成本，另一方面又要从表面上迎合PC100标准，就在PCB板上焊上一片空的SPD。这样就有可能导致100MHz以上外频不能正常工作，应该注意的是一些厂商出的主板一定要BIOS检测到SPD中的数据才能正常工作，而对于内存上假的SPD来说，就会有不兼容或死机的现象出现——这是更应该注意的！

    IV. 关于PC100与PC133规范

1. PC100 SDRAM规范包含：内存条上电路的各部分线长最大值与最小值；电路线宽与间距的精确规格；保证6层PCB板制作（分别为：信号层、电源层、信号层、基层、信号层），具备完整的电源层与地线层；具备每层电路板间距离的详细规格；精确符合发送、载入、终止等请求的时间；详细的EEPROM编程规格；详细的SDRAM组成规格；特殊的标记要求；电磁干扰抑制；可选镀金印刷电路板。
2. 对规范的说明：内存条看似简单，其实它也是一种极为精密的半导体产品，制造的要求当然不能就是简单和随意的了。对一些数据的精准要求是为了保证内存对外能有很好的稳定性、兼容性与适用性，对内能有很好的一致性的。在做工与制造工艺上的要求也是为了是只能达到一定的标准的必要条件。虽然一些小厂生产的内存也使用的是高质量芯片，如LG、Hyundai、NEC、 Micron、Hitachi等，但它们所用的印刷电路板（PCB）的质量却很差，这就是普通SDRAM内存条与高档SDRAM内存条之间的最大差异。要知道高档的SDRAM芯片配高质量的PCB跟配普通PCB板相比其间的性能当然是不可同日而语的。在印刷电路板上节约成本，往往会带来信号在传输中不稳定、易受干扰、易丢失等各种问题。为了降低材料成本，一些厂商制造SDRAM内存条使用的是4层PCB板而不是推荐的6层板或8层板。4层板的做工是很容易受到物理与机械损害的影响的，它对电磁干扰的屏蔽能力也不如6层板或8层板好。所以PC100规范才明确定义出了必须使用6层或更多层电路板进行制造。Intel对PC-100规范的要求是：当主板外部时钟频率为100MHz，且BIOS选项中CAS Latency设为2时，要求PC-100 SDRAM能稳定地与主板同步工作。虽说CAS设为3时，系统的稳定性可以得到进一步加强，但标准应该是2，而不是3！
3. 对于PC133规范来说，它的进一步要求是tAC不超过5.4ns、tCK不超过7.5ns（对于PC100，这两项都是10ns）、稳定的工作频率为133MHz，所以对于PC133 SDRAM，若没有特别标明，大都是指CAS Latency=3，如果在CL设为2、跑133MHz的外频时发生错误，就不要认为这条内存有问题，因为PC-133的规范并不保证CL一定要等于2，所以能不能在150MHz（CL=3）下稳定运行，也是不确定的。

二.关于内存标识的识记与相关产品。

    在此我们先从总体上介绍一下内存标注的普遍规律，再根据不同品牌产品的标注特点进行介绍，并列举出一些市场上常见的各种品牌的内存产品来。在内存芯片的标识中通常包括以下几个内容：厂商名称、单片容量、芯片类型、工作速度、生产日期等，其中还可能有电压、容量系数和一些厂商的特殊标识在里面。如以“??xxx64160AT-10”为例，最前面的“??”代表的是芯片生产厂商的标志，厂商代号如下：HY（Hyundai现代电子)，AAA(NMB), GM(LG-Semicon), HYB(Siemens西门子), LH(SHARP), KM或M(Samsung三星)，M5M(Hitsubishi)，MB(Fujitsu), MCM(Motorola), MN(Matsushita)，MSM(OKI), MT(Micron)，TC或TD(Toshiba东芝)，TI(TMS德州仪器)，HM(Hitachi日立)，TM(STI), uPD(NEC)，NN(NPNX)，BM(IBM)；xxx代表厂商的内部标识；64是指64Mbit的容量（注意是bit[位]，而不是Byte[字节]）；16表示每块小芯片的位数是16位，对于现在64位的总线系统来说，至少需要4片这样的芯片才能构成可用的SIMM内存条。这时候这条由4片小芯片构成的SIMM内存条容量是64Mbit/8*4=32MB，它就是32MB一条的内存。如果SIMM内存条上有8片这样的小芯片，当然就是64MB一条的内存。如果SIMM内存条上只有2片这样的小芯片，就必须要两条SIMM内存条同时使用才能满足总线宽度的要求：16bit*2片*两条=64bit的总线宽度--这在上面已经提及的；0表示这是一条SDRAM；在“-”后的数字表示芯片的系统时钟周期或存取时间。通常在“-”前的第一个数字标示的是内存的类型标识，单数是EDO RAM，双数则是SDRAM。

    对于PC 100内存产品的编号一般表示为：PCX-ABC-DEF的形式。X代表工作频率，66MHz或100MHz等；A代表最小的CAS Latency数，时钟数一般为2或3；B代表最小的tRCD（RAS相对CAS的延时）时间，时钟数一般是2；C代表最小tRP（RAS预充电时间），时钟数一般是2；D代表最大tAC（Access time from CLK）时间，多为6ns、7ns等数值；E代表SPD的版本号V1.2；F是一个保留值为0。

    下面就来介绍一下常见的内存厂家的产品及其标识的意义，并连带说一些芯片之间优略的比较。其中一些注出的超频极限内存信息为小道消息，仅供参考。

    I.  LGS（LG-Semicon）：

标准	型号	CAS	超频极限
PC 100	GM72V66841CT-7J	3	133
	LG8 (CT8)	2	124
	-7J/-7K	3	112
	-8	3	133
	GM72V56441BT/BLT GM72V56841BT/BLT	3	133
	GM72V28441AT/ALT GM72V28841AT/ALT	3	133
	GM72V661641C T-7J
	GM72V16821D T-7K
PC 66	-10K	3	112
	GM72V161621ET	3	143
PC 133	GM72V281641AT/ALT	3	143
	GM72V561641BT/BLT	3	133
	-75	3	133
	-7	3	142

    注意：-10K不是PC 100的产品！-7K和-7J 不是PC 133的产品！-8的性能比-7K和-7J都要好，且-7K比-7J的性能要好一点儿，要是-7J的条子后有AG2/3/4/6的字样，那么AG2的最好，AG6的最差！通式：GM72V ab cd e 1 f g T hi。

ab：容量（Mbit）

cd：数据位宽（位）

e：内存条包括的Bank数

f：内核的版本号（越往后越新，可为空白）

g：若是“L”就是低功耗，普通型则为空白

hi：速度

II.  现代电子（Hyundai）

标准	型号	CAS	超频极限
PC 100	-8	3	125
	HY57V658020TC-10	3	112
	-10S	3	112
	-10P	3	112
	HY57V1294020
	HY57V651620ATC-10P
	HY57V658020ALTC-10P
	HY57V168010C TC-10P
	HY57V168010C TC-10S
	HY57V658020A TC-10S
	HY57V651620A TC-10S
PC 66	HY57V168010A TC-10	3	112
	HY57V168010B TC-10	3	124
	TFG-10	3	103
	T-10K	3	100
	10B-TC10	3	100

    注意：-10不是PC 100的产品！-8的性能比-10P和-10S都要好！通式：HY5a b cde fg h 0 i j kl-mn。

5a：芯片类型，57为SDRAM；5D为DDR

b：电压，V为3.3v，U为2.5v，空白为5v

ced：容量（Mbit）和刷新速度（k Ref.）

fg：数据位宽（位）

h：内存条包括的Bank数，1、2、3分别为2、4、8个Bank

0：INTERFACE界面，0：LVTTL；1：SSTL(3)；2：SSTL_2；3：Mixed Interface；

i：内核的版本号（越后越新，可为空白）

j：若是“L”就是低功耗，普通型则为空白

kl：封装形式的编号

m：速度

n：通常P比S的好一些

III.  三星电子（Samsung）

标准	型号	CAS	超频极限
PC 100	KMXXXSXXXXBT-G8	3	139
	KMXXXSXXXXBT-G7	3	133
	KMXXXSXXXXBT-8	3	125
	KMXXXSXXXXBT-H	2	100
	KMXXXSXXXXBT-L	3	100
	KM48S8030CT-G7	3	143
	KM48S8030BT-GH	2	133
	-GL	3	112
	KM 48S8030CT-G8	3	133
	KM44S64230AT-GL
	KM48S8030BT-GL
	KM48S2020CT-GL ES
PC 66	KMXXXSXXXXBT-10	3	100
	-G10	3	103
	-G12 G2	3	100
PC 133	KM48S8030CT-GA

    注意：-10不是PC 100的产品！-8的性能比-GL和-GH的都要好！KMXXXSXXXXBT-G7是真正的支持7ns的SDRAM，能是在CAS为3下稳定的工作，-GH系列也是很好的产品。通式：KM4 ab S cd 0 e f gT-h

ab：数据位宽（位）

ab*cd=容量（Mbit）

e：内存条包括的Bank数，1、2、3分别为2、4、8个Bank

f：内存接口，0=LVTTL、1=SSTL

g：内存版本，空白=第1代、A=第2代、B=第3代

T：封装类型，T = TSOP II (400mil)

h：电源供应，G=自动刷新、F=低电压自动刷新

IV.  日立（Hitachi）

标准	型号	CAS	超频极限
PC 100	HM5264165TT-B60	3	112
	HM5264805TT-B60
PC 66	HM5216805TT-10H	3	112

    通式：HM 52 ab cd 5 e f TT-gh

ab：容量（Mbit）

cd：数据位宽（位）

e：内核的版本号（越后越新，可为空白）

f：若是“L”就是低功耗，普通型则为空白

V.  NEC

标准	型号	CAS	超频极限
PC 100	μPD4564841G5	2	133
	A10-JF	2	124
	-80	3	124
	-10	3	112
	-A80	3	133
	μPD4564821G5-A10-9JF	3	125
	μPD4564821G5-A80-9JF	3	125
	μPD4564841G5-A10-9JF
	μPD4564163G5-A10-9JF
PC 133	-A70
	-A75
PC 66	μPD4516821G5	3	100
	-10B	3	100
	-12

    注意：-12不是PC 100的产品，-10B也不是PC 100的产品！但-10B的性能要比-12的好！-80的性能要比-10的性能要好！通式：D45 ab c d eG5-Afg h-ijk

ab：容量（Mbit）

c：数据位宽（位）

d：内存条包括的Bank数，3、4都表示4个

e：内存接口，1=LVTTL

VI.东芝（Toshiba）

标准	型号	CAS	超频极限
PC 100	-80H	3	124
	MC16V64E8S4G8T	2	124
	TC59S6408BFT-10	2	124
	TC59SxxxxBFT(x)-80	3	125
	TC59SM716FT-80
	TC59S6416BFT-80
	TC59S6416BFT-80
	A56877
PC 133	TC59S6404BFT-80A
	TC59S6408BFT-75

    注意：-10不是PC 100的产品！通式：TC59S ab cd e FT f-gh。

ab：容量（Mbit），M7为128Mbit

cd：两位都代表数据位宽（位）

e：内核的版本号

f：若是“L”就是低功耗，普通型则为空白

VII.  富士通（Fujitsu）

标准	型号	CAS	超频极限
PC 100	MB 8UV64B4C-10xT-S	2	112
	MB 81F64842B-103FN
	MB 81F641642B-103FN
	MB 81F16822B102FN
PC 66	MB 81117822A-100	3	103

    通式：MB81 a bc de f2 g-hij k FN

a：F为符合PC 100规范的产品，1为符合PC 66规范的产品

bc：容量（Mbit）

de：数据位宽（位）

f：内存条包括的Bank数

g：内核的版本号（越后越新，可为空白）

k：若是“L”就是低功耗，普通型则为空白

VIII.  三菱（Mitsubishi）

标准	型号	CAS	超频极限
PC 100	M5M4V64S30ATP-8	3	124
	M5M4V64S40ATP-8	3	112
	-8A	3	124
	-7	3	112
	M2V64S30BTP -8A	3	125
	M5M4V16S30DTP-8
	M5M4V64S40ATP-8
PC 66	M5M64S30ATP-8	3	103
	-10

    注意：-10不是PC 100的产品！通常-7要比-8 的性能要好一些，-8A的性能也比-8的性能要好！-7K比-7J的性能要好！通式：M4 V ab S c 0 d TP-ef g

ab：容量（Mbit）

c：数据位宽（位），2、3、4分别代表4位、8位、16位

d：内核的版本号（越后越新，可为空白）

g：若是“L”就是低功耗，普通型则为空白

IX.  西门子（Siemens）

标准	型号	CAS	超频极限
PC 100	AT-8	2	124
	-AT10	3	112
	HYB39S64160AT/ATL -8	3	125
	HYB39S64xxxAT/ATL -8B	3	100
	HYB39S16800CT-8
	HYB39S64800AT
PC 66	HYB39S64160AT-10	2	112
	HYB39S16800T-8	3	103
	AT-10	3	100

     通式：HYB39S ab cd 0 e T f -g

ab：容量（Mbit）

cd：数据位宽（位）

e：内核的版本号（越后越新，可为空白）

f：若是“L”就是低功耗，普通型则为空白

X.  麦康（Micron）

标准	型号	CAS	超频极限
PC 100	MT48LC8M8A2 TG-8C	3	133
	-8b	3	112
	MT48LC8M8A2TG-8A/B/C	3	125
	MT48LC8M8A2TG -8D/-8E	3	125
PC 133	MT48LC8M8A2TG-75	3	150
PC 66	MT48LC2M8A1 TG-10S	3	124

    注意：-10不是PC 100的产品！-8B、-8C和-8E的性能相差不多，但-8E的版本最新最好！通式：MT48 ab cd M ef Ag TG-hi j。

ab：芯片类型，LC为SDRAM；46V为DDR

cd*ef=容量（Mbit）

ef：数据位宽（位）

Ag：AX代表Write Recovery（tWR），A2为tWR=2CLK

i：内核的版本号（越后越新，性能越好）

j：若是“L”就是低功耗，普通型则为空白

三.选购与注意事项

    I. 关于品牌与市场。多年来，我们对内存品牌的认识存在误区，也就是经常把生产内存芯片的厂商和真正生产内存条的厂商搞混。我们通常说的LG、现代等名称都是指生产这个内存条上芯片的厂商名称，而不是真正生产这个内存条的厂商。难道像LG、现代这些大公司就真的不生产内存条吗？其实也不是的。对于这些大公司来讲，他们大量的生产这样的内存芯片，然后对这些芯片进行品质的检查，对其中性能极为优异的产品都是自己留下来，以自己生产内存条之用，当然就是打着自己的牌子卖出去的。而将其中较少的一部分产品也来供给一些如KINGMAX（胜创科技）等知名的内存厂商来制造内存条。所以这些内存芯片厂商自己生产的内存个个都是相当好的产品，但他们的价格也是不同寻常的。而我们平常见到的内存条当然都不是他们的产品，只是一些台湾或大陆的公司生产的，所以无论在所用芯片还是内存的制造工艺上都是有一些差距的。

    II. 认清标识、鉴别质量、防止假冒伪劣的产品。对内存上所印的标识的辨认是选购内存中最为重要的一点。如前所述，尤其要注意一些非正常标识的含义，如LGS的-7J/-7K不是7ns的内存、三星和现代等-10的内存不是PC 100的产品等等，只有认清、记清这些才不会被一些奸商所骗，不至于迟了亏自己都不知道。如今的内存市场已经较以前规范了许多，Remark的产品已经很少了，但是至今仍有相当一部分内存条是在手工作坊里“攒”出来的，当然这些缺乏质量保证的内存是根本不能胜任高稳定性与超频的需要的。更有甚者，将一些报废“垃圾板”上的芯片进行重新组装生产新的内存，这些劣质的内存条不仅印刷电路板的薄厚不同，而且做工粗糙、边缘参差不齐，有的还带有毛刺。对这些劣质内存除了从以上这些做工方面能鉴别以外，还有就是能从内存条的芯片上进行鉴别：在正规生产条件下内存所用的芯片都应该是同一型号的产品，当然只可以允许在生产批次上有些微小的差别，而对品牌型号来讲，是不允许有差别的。所以要是见到了一个内存条用了不同型号的内存芯片，甚至是不同厂商的芯片的话，那么它肯定不是一个可靠的产品！此外，这些劣质内存的生产成本低，故在价格上也有一定的优势，肯定要比正常渠道的产品的价格低，而且要低的不止几元，所以在选购时也要注意那些明显的低价位内存产品最好不要去购买，除非有朋友告诉你某某产品物美价廉。对于KINGMAX等采用Tiny－BGA封装的内存产品，有着封装体小、易于散热、支持更高频率和抗干扰性能强等优点，市场上是没有假货的，价格比普通内存稍贵一些，但是性能很好，在选购中也易于识别，可以作为超频爱好者们应该选择的一种产品。对于假货，也有一些可以讨论的东西。首先奸商们作假的目的很简单，就是将高时钟周期的内存芯片Remark成低时钟周期的产品，再以低时钟周期产品的高价卖出，赚取其中的差额。所以这种Remark肯定都是在一品牌不同时钟周期的产品间进行的，而且要有一定的价格差存在才行，要知道Remark也是需要成本的，差价太小作Remark的意义显然不大，更何况这还要冒一定的风险呢！对芯片而言，要保证高时钟周期的芯片能以低时钟周期运行，比如要将某PC 100的产品Remark成PC 133的，必须要保证它也能在133MHz下基本稳定的运行。如果不能稳定运行的话，消费者肯定会找他更换的，所以奸商卖不出去Remark后的产品也是没用的！至于Remark过程，这与CPU的Remark基本类似，都是要先把原来的标记打磨掉，再印上新的标记。所以仔细察看内存芯片的表面是否有打磨过的痕迹，用眼看看、用手摸摸芯片上的字迹是否在芯片的表面之上（就是凸出的），而不应该在表面之下（凹陷的）——这些都是鉴别Remark的要点。好在现在市场上的内存产品的Remark现象和伪劣现象已经很少了，这也都是因为现在内存价格过低，利润极薄的原因。至于内存条上是假SPD的，倒是有一小部分。这大致可以从两点进行判断，一是仔细观察在电路板上从SPD处引出的线是否是引到插口的针脚上或是与芯片相连了，若连线多为中途就无缘消失了的，则其中必然有诈，这招儿对于假的或空的SPD就无济于事了。另一方法当然就是上机去试（只有这招儿是最灵了），当然你的主板要支持SPD才行：在BIOS中将RAM中关于SPD的选项设为“AUTO”，若是开机不能启动、内存报错或是100MHz的外频不能正常稳定的运行，这都说明SPD为假的。要再想进一步的鉴别，就可以将BIOS中的CL设成3，重开机后看是否有Suggested SDRAM CAS Latency time is "2"的字样或是相关的信息出现，要有就没问题了。其实SPD的问题并不重要，它对于内存条的正常使用是无关大雅的，对于有假SPD的内存用户来说，在BIOS中去掉自动检测的设置，采用手工设置的方法就行了。对于PC 133标准的内存的选购，只要大家注意标记的识别就行了，另外回来试一下，将CL设成3，能在133MHz的外频下稳定的运行也就没问题了！

    III. 注意保护。对于内存这种高集成度的半导体产品来讲，在选购和运输中注意保护也是很重要的。在猛烈的振动和撞击的情况下，都是会导致内存条折寿甚至报废的。比如就是说一内存条可以在正常情况下CL=3时稳跑133MHz，但是不小心摔了一下后，可能在CL=3时只能跑100MHz了，这都是可能的——所以防止摔、振很重要；还有一点就是静电对内存条的危害，人体或某些物品（尤其是电器产品）带的静电也很有可能将内存的芯片击伤、击坏，所以尽量用柔软、防静电的物品包裹内存条，注意用手触摸它时要先触摸一下导体，使手上的静电放出，轻拿轻放。

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