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高频率的内存
很多文章指出RDRAM 使用16位总线来传输数据，这也就是为什么它的频率可以达到533 MHz的原因（有效频率1066 MHz）。但是真正的原因是因为RDRAM使用串行总线，而不是并行总线。
RDRAM和DDR内存的频率差别是显而易见的。最好的DDR内存的频率也只能达到200 MHz或者稍微再多一点，而最好的RDRAM则可以达到640 MHz（稳定）。
封装方法也是RDRAM 运行频率比DDR内存高的一个原因。大多数DDR内存使用TSOP封装 （Thin Small Outline Package），而RDRAM则使用FBGA（Fine pitch Ball Grid array）封装。TSOP芯片的边缘有用来连接的针脚，而FBGA芯片的边缘则没有针脚，它是通过芯片下面的球状针脚来和外界连接的。这些小球的电容性要比TSOP针脚低得多。事实上，如果现在的DDR 内存芯片采用FBGA封装，频率至少可以达到200-266 MHz，但是采用TSOP封装，频率被限制在150-180 MHz。因此DDR400内存应该改用FBGA封装，而不是继续采用TSOP封装。不过我们的意思并不是指采用FBGA封装的普通内存芯片能胜过采用TSOP封装的高质量内存芯片。
现在内存生产商提供的 DDR-400 内存仍然使用TSOP封装，所以你不要奢望这些内存还有超频余地，尤其是在那些插满内存的系统上。我们注意到，一些不符合JEDEC 的DDR2700 CAS 2.5内存在很多主板上使用两条或更多时，频率没有办法稳定在166 MHz DDR。因此，JEDEC 将DDR-II内存的频率定在200 和 266 MHz，而且必须采用FBGA封装 |
