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架构
内存芯片的封装只是一个方面，使用特别的信号来区别寻址和数据也是RDRAM频率较高的原因。
电容和电磁感应增加了数据读取的时间。如果我们发出“1”这个数据，需要发送一个+1.4V的信号，那么在电压达到1.4V之前也需要花费一段时间。
我们首先来看看DDR 内存的信号原理。现在大多数DDR内存都使用8 到16个内存芯片。我们这里有一条8芯片的内存条。这8个芯片都采用并行总线和64位总线连接。
DDR 内存的寻址和数据存储工作原理
DDR 内存的寻址信号和数据信号是完全区分开的。要注意上面这幅图片仅仅是简化图，实际原理要复杂得多。最关键的是64位的数据总线被划分成了8个并行数据线，用来连接这些内存芯片。
不过我们并不能将寻址和命令总线也划分成八个，这不符合内存的寻址和命令总线的工作原理。寻址和命令信号会在同一时间传输到内存条上的所有芯片里。
下面我们来看看RDRAM的原理，然后对它们进行比较。
这张图取自RDRAM的白皮书。和前面那张DDR内存的图片一样，重要部分我们用彩色标注了出来。
DRAM 的寻址和数据存储工作原理
整张图最需要注意的就是三条彩色的数据传输线。寻址总线的工作原理和数据总线的工作原理一样。Rambus 传输线穿过两条（或四条）RIMM，然后分别在两端终止。所有的Rambus芯片都是串在传输线上的。每个芯片都是16位的，所以RDRAM 通道只需要一个芯片就可以工作了。
而DDR 内存则采用8个8位的并行数据线。第一条内存上的第一个内存芯片和第二条内存上的第一个内存芯片连接，其它芯片也是一样。必须要有4-16个内存芯片，内存条才能工作。
因此RDRAM虽然只有一条16位的数据线，但是这一条数据线却可以连接全部的内存芯片 |
