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美国Rambus与德国亿恒科技（Infineon Technologies AG）围绕高速内存技术进行的专利诉讼案又出现了新的判决。Rambus于美国当地时间2003年1月29日宣布：“美国联邦上诉法院做出了对Rambus有利的判决”（新闻发布）。两公司的官司始于2000年8月，Rambus认为亿恒科技生产的同步DRAM与DDR型同步DRAM侵害了Rambus拥有的4项专利（美国专利序号5,953,263、5,954,804、6,032,214、6,034,918）而提供诉讼，对此亿恒公司在提出未侵害专利的同时，还对Rambus在JEDEC进行同步DRAM等的标准化进程中有不正当行为提起反诉。亿恒公司认为，在出席JEDEC会议时，尽管制定了“正在申请中的专利也要公布”的原则，但Rambus却消极申报。
美国佛吉尼亚州东部地区联邦地方法院在2001年5月做出了Rambus败诉的一审判决。该法院认为亿恒公司的同步DRAM与DDR型同步DRAM不存在专利侵害行为，而且陪审员还认定Rambus在JEDEC中有不正当行为，法院要求支付350万美元的惩罚性赔偿。Rambus对这一判决不服，提起上诉要求重新审理。
美国联邦上诉法院在此次二审中相继做出了对Rambus有利的判决。首先是对Rambus在JEDEC中的不正当行为以及同步DRAM与DDR型同步DRAM方面都做出了Rambus“清白”的判决。其理由主要有两条：一是在JEDEC中没有明确的信息发布规定，另一条是Rambus在加入JEDEC时，并没有已批准或正在申请的与标准化有直接关系的专利。
在另一个争执焦点专利侵害方面，地方法院做出了未侵害的判决，二审则推翻了这一判决。地方法院对Rambus专利中“IC（集成电路）”、“读取请求”、“总线”的解释设定了特定条件，比如将总线解释为包括地址、数据和控制信息在内的“多路复用总线（Multiplex Bus）”，并以此作为最重要依据做出了亿恒公司不存在侵权行为的判决。而联邦上诉法院此次将其视为普通的“集成电路”及“读取请求”、“ 总线”。 |
