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在本周于旧金山展开的IDF上，Rambus将展示出更快版本的DRAM技术。这款新的RDRAM设计名为RIMM 4200，是Rambus RIMM技术的最新版本。新版RIMM加入了第二条内存信道，而且提供内存与其它PC零件间更快的数据传输速度。
RIMM 4200整合了两条每秒2.1GB带宽的内存通道，因此使得数据传输率达每秒4.2GB。Rambus表示，现有Rambus RIMM为1600版，只使用了一条每秒1.6GB的信道──虽然许多PC使用了“双通道”（dual-channel）的组装，以一对模块来提供每秒3.2GB的数据传输率。
RIMM 4200模块使用了新的、更快的RDRAM芯片，频率为1066MHz。现有Rambus RIMM只使用800MHz的RDRAM芯片。
Rambus的4200模块预计在第二季度上市。而且根据消息来源表示，Rambus 4200将会是高阶台式Pentium 4计算机的硬件升级。届时，Intel可望整合新的Rambus，并将它的前端总线速度从400MHz提升到533MHz。三星以及其它的DRAM制造商将为RIMM制造新的RDRAM芯片，三星也在IDF会场上展示自己新的内存芯片。
4200模块是接续去年Rambus所宣布扩增RDRAM传输速度的计划之一，该公司预计在2005年前将目前800MHz频率内存，每秒1.6GB的传输率提升至1200MHz、每秒9.6GB的传输速度。 |
