个人电脑合理配置粗探-第6页-倚天（diy,攒机）

现在一般个人电脑没有更多的选择，内存基本都是SDRAM，我们先看看主流产品的情况：

品牌	类型	型号	CAS	超频能力(参考)
现代电子（Hyundai）	PC 66	HY57V168010A TC-10	3	112
		HY57V168010B TC-10	3	133
		T-10K	3	100
		10B-TC10	3	100
		-10K	3	112
	PC 100	-8	3	133
		HY57V658020TC-10	3	112
		-10S	3	124
		-10P	2	133
		GM72V66841CT-7J	3	133
		LG8 (CT8)	3	133
		GM72V56441A(B)T/A(B)LT	3	133
		GM72V56841A(B)T/A(B)LT	3	133
		GM72V661641C T-7J	3	103
		GM72V16821D T-7K	2	112
	PC 133	GM72V161621ET	3	143
		GM72V281641AT/ALT	3	143
		-75	3	133
		-7	3	153
三星电子（Samsung）	PC 66	-G10	3	112
	PC 100	KMXXXSXXXXBT-G8	3	146
		KMXXXSXXXXBT-G7	3	143
		KM48S8030BT-GH	2	133
		KM48S8030BT-GL	3	112
		KM 48S8030CT-G8	3	133
		KM48S8030CT-G7	3	153
	PC 133	KM48S8030CT-GA	3	146
麦克龙（Microm）		MT48LC2M8A1 TG-10S	3	133
		MT48LC8M8A2 TG-8C	3	143
		-8B	3	112
		-8E	3	133
		MT48LC8M8A2TG-75	3	153

它代表SDRAM所能运行的最大频率。显然这个数字越小说明SDRAM芯片所能运行的频率就越高。对于一片普通的PC-100 SDRAM来说，它芯片上的标识-10代表了它的运行时钟周期为10ns，即可以在100MHZ的外频下正常工作。根据某厂家的产品表我们可以得出这种芯片存取数据的时间为为6ns。

对于EDO和FPM DRAM来说，它代表了读取数据所延迟的时间。目前大多数SDRAM芯片的存取时间为5、6、7、8或10ns。这可不同于系统时钟频率，它们二者之间是有着本质的区别的。比如一种LG 的PC-100 SDRAM，它芯片上的标识为-7J或-7K，这代表了它的存取时间为7ns。而许多人都把这个存取时间当作了它能跑的外频了，其实它的系统时钟频率依然是10ns，外频为100MHz。

这是纵向地址脉冲的反应时间,也是在一定频率下衡量支持不同规范的内存的重要标志之一。比如现在大多数的SDRAM（在外频为100MHz时）都能运行在CAS Latency = 2或3的模式下，也就是说这时它们读取数据的延迟时间可以是二个时钟周期也可以是三个时钟周期。（当然在延迟时间为二个时钟周期时，SDRAM会有更高的效能。）在SDRAM的制造过程中，可以将这个特性写入SDRAM的EEPROM （就是SPD）中，在开机时主板的BIOS就会检查此项内容，并以CL=2这一默认的模式运行。

对于PC 100内存来说，就是要求当CL=3的时候，tCK （System clock cycle time）的数值要小于10ns、tAC（Access time from CLK）要小于6ns。至于为什么要强调是CL=3的时候呢，这是因为对于同一个内存条当成设置不同CL数值时，tCK的值是很可能不相同的，当然tAC的值也是不太可能相同的。关于总延迟时间的计算一般用这个公式：总延迟时间=系统时钟周期*CL（CAS Latency）模式数+存取时间，比如某PC100内存的存取时间为6ns，我们设定CL模式数为2（即CAS Latency=2），则总延迟时间=10ns*2+6ns=26ns。这就是评价内存性能高低的重要数值。