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（来自HKEPC.COM报道）Samsung宣布推出全球最快1ns GDDR3 512Mbit内存颗粒，其采用90纳米制程其频率可高达 2GHz，是现时GDDR3速度最快的速度，采用1ns GDDR3颗粒其频宽可高达8GB/s，将比现在1.6ns颗粒快70%，相信将会用于下代高速绘图显示卡及游戏机之中。同一时间Samsung也表示将会正式量产1.2ns GDDR3 512Mbit内存颗粒，其频宽可达6.4GB/s，而且符合JEDCE的136-Ball Package规格。Samsung同时亦透露将会推出更高速的GDDR1及GDDR2颗粒，其速度可高达2ns，令中低阶显示卡的内存频率水平进一步提高。
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