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全球最大的处理器生产商Intel宣布其45nm制程试产成功，现在已经制作出完整可正常运作的SRAM晶片(Static Random Access Memory)，据Intel表示，这次试产生成功将确保他们将07年在12寸晶圆上生产下一代45nm处理器，延续摩尔定律。
据Intel的相关人士表示，Intel的45nm制程将比65nm大幅减少五倍的漏电情况(Leakage Power)，也将使电晶体切换(Transistor Switching)速度提升两成，并减少电晶体切换所需三成功耗，因此下代45nm处理器可提升电池的续航力，减低工作温度有助系统体积进一步减少。其实Intel在提升制程技术前，必先会试产SRAM晶片以调节生产技术，用作提高良率及可靠性，以迎接真正生产处理器，而这次试产的是一颗153MBit的SRAM内建超过1 Billion电晶体，它是于D1D晶圆厂(Oregon,U.S.A)，而未来量产45nm制程的厂房预定将会在Fab 28(Israel,U.S.A)及Fab 32 (Arizona, U.S.A)工厂生产，并在2007年第四季正式推出采用45nm制程的处理器。
 45nm制程试产产品结构图
Intel CPU制程Roadmap
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